Bipolartransistor KSD261C

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD261C

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 40 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.5 A
  • Verlustleistung, max: 0.5 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSD261C

Der KSD261C wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSD261.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD261C kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD261CG liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSD261CY im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD261C ist der KSA643C.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD261C

Sie können den Transistor KSD261C durch einen 2N3394, 2N3706, 2SC1959, 2SC2001, 2SC3266, 2SD471, 2SD545, 2SD734, KSD1020, KSD1021, KSD471AC, KTC3266 oder KTD1146 ersetzen.
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