Bipolartransistor KSD227O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD227O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD227O transistor

Pinbelegung des KSD227O

Der KSD227O wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD227O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD227 liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KSD227G im Bereich von 200 bis 400, die des KSD227Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD227O ist der KSA642O.

Transistor KSD227O im TO-92-Gehäuse

Der 2SD227O ist die TO-92-Version des KSD227O.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD227O

Sie können den Transistor KSD227O durch einen 2N4400, 2SC1210, 2SD227, 2SD227O, 2SD471A, 2SD471AO, KTC9013, MPS3705, MPS6532, MPS6560, MPS6560G, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G oder S9013 ersetzen.
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