Bipolartransistor KSD227

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD227

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 25 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 400
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SD227 transistor

Pinbelegung des KSD227

Der KSD227 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSD227 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSD227G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSD227O im Bereich von 70 bis 140, die des KSD227Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSD227 ist der KSA642.

Transistor KSD227 im TO-92-Gehäuse

Der 2SD227 ist die TO-92-Version des KSD227.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD227

Sie können den Transistor KSD227 durch einen 2SD227, 2SD471A, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG oder MPSW01G ersetzen.
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