Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC945CG
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.15 A
Verlustleistung, max: 0.25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
Übergangsfrequenz, min: 300 MHz
Rauschzahl, max: 4 dB
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des KSC945CG
Der KSC945CG wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSC945G. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor KSC945CG kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC945C liegt im Bereich von 40 bis 700, die des KSC945CL im Bereich von 350 bis 700, die des KSC945CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSC945CR im Bereich von 40 bis 80, die des KSC945CY im Bereich von 120 bis 240.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC945CG ist der KSA733CG.