Der 2SC536N wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC536N kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC536N-F liegt im Bereich von 160 bis 320, die des 2SC536N-G im Bereich von 280 bis 560.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC536N-Transistor könnte nur mit "C536N" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC536N ist der 2SA608N.