Bipolartransistor 2SC2002

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC2002

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.3 A
  • Verlustleistung, max: 0.6 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 90 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 140 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC2002

Der 2SC2002 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC2002 kann eine Gleichstromverstärkung von 90 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC2002-K liegt im Bereich von 200 bis 400, die des 2SC2002-L im Bereich von 135 bis 270, die des 2SC2002-M im Bereich von 90 bis 180.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC2002-Transistor könnte nur mit "C2002" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC2002 ist der 2SA952.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC2002

Sie können den Transistor 2SC2002 durch einen 2SC2003, 2SD438 oder KSC1008C ersetzen.
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