Bipolartransistor KSC3076-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC3076-O

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-251

Pinbelegung des KSC3076-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC3076-O kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC3076 liegt im Bereich von 70 bis 240, die des KSC3076-Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC3076-O ist der KSA1241-O.

SMD-Version des Transistors KSC3076-O

Der 2SC2873 (SOT-89), 2SC2873-O (SOT-89), 2SC3444 (SOT-89), BCP55 (SOT-223), BCP55-10 (SOT-223), BCX55 (SOT-89) und BCX55-10 (SOT-89) ist die SMD-Version des KSC3076-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC3076-O

Sie können den Transistor KSC3076-O durch einen 2SD1803, 2SD1804, KSC3074, KSC3074-O, KTC2022L oder KTC2022L-Y ersetzen.
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