Bipolartransistor KSC3076

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC3076

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 50 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 10 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-251

Pinbelegung des KSC3076

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC3076 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC3076-O liegt im Bereich von 70 bis 140, die des KSC3076-Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC3076 ist der KSA1241.

SMD-Version des Transistors KSC3076

Der 2SC2873 (SOT-89), 2SC3444 (SOT-89), BCP55 (SOT-223) und BCX55 (SOT-89) ist die SMD-Version des KSC3076-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC3076

Sie können den Transistor KSC3076 durch einen 2SD1803, 2SD1804, KSC3074 oder KTC2022L ersetzen.
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