Bipolartransistor KTC2022L

Elektrische Eigenschaften des Transistors KTC2022L

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 130 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
  • Verlustleistung, max: 20 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-251

Pinbelegung des KTC2022L

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KTC2022L kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des KTC2022L-GR liegt im Bereich von 120 bis 240, die des KTC2022L-Y im Bereich von 70 bis 140.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KTC2022L ist der KTA1042L.

SMD-Version des Transistors KTC2022L

Der BDP955 (SOT-223) ist die SMD-Version des KTC2022L-Transistors.
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