Bipolartransistor KSC1009G

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1009G

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1009G transistor

Pinbelegung des KSC1009G

Der KSC1009G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC1009CG (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC1009G.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC1009G kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1009 liegt im Bereich von 40 bis 400, die des KSC1009O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1009R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1009Y im Bereich von 120 bis 240.

Transistor KSC1009G im TO-92-Gehäuse

Der 2SC1009G ist die TO-92-Version des KSC1009G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC1009G

Sie können den Transistor KSC1009G durch einen 2SC1009 oder 2SC1009G ersetzen.
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