Bipolartransistor KSC1009

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSC1009

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 140 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1009 transistor

Pinbelegung des KSC1009

Der KSC1009 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSC1009C (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSC1009.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSC1009 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSC1009G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSC1009O im Bereich von 70 bis 140, die des KSC1009R im Bereich von 40 bis 80, die des KSC1009Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum KSC1009 ist der KSA709.

Transistor KSC1009 im TO-92-Gehäuse

Der 2SC1009 ist die TO-92-Version des KSC1009.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSC1009

Sie können den Transistor KSC1009 durch einen 2SC1009 ersetzen.
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