Bipolartransistor KSA709

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA709

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SA709 transistor

Pinbelegung des KSA709

Der KSA709 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Basis- und Kollektorleitung. Der Transistor KSA709C (mit dem Suffix "C") ist die Version mit mittlerem Kollektor des Transistors KSA709.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA709 kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA709G liegt im Bereich von 200 bis 400, die des KSA709O im Bereich von 70 bis 140, die des KSA709Y im Bereich von 120 bis 240.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum KSA709 ist der KSC1009.

Transistor KSA709 im TO-92-Gehäuse

Der 2SA709 ist die TO-92-Version des KSA709.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA709

Sie können den Transistor KSA709 durch einen 2SA709 ersetzen.
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