Bipolartransistor KSD401
Elektrische Eigenschaften des Transistors KSD401
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
- Verlustleistung, max: 25 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 400
- Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
- Electrically Similar to the Popular 2SD401 transistor
Pinbelegung des KSD401
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor KSD401
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