Bipolartransistor KSB1151-O

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -7 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -5 A
• Verlustleistung, max: 20 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 100 bis 200
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126
• Electrically Similar to the Popular 2SB1151-M transistor

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor KSB1151-O kann eine Gleichstromverstärkung von 100 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSB1151 liegt im Bereich von 100 bis 400, die des KSB1151-G im Bereich von 200 bis 400, die des KSB1151-Y im Bereich von 160 bis 320.Der komplementäre NPN-Transistor zum KSB1151-O ist der KSD1691-O.Der BDP950 (SOT-223) ist die SMD-Version des KSB1151-O-Transistors.Sie können den Transistor KSB1151-O durch einen 2SB1151 oder 2SB1151-M ersetzen.