Bipolartransistor KSA709CG

Elektrische Eigenschaften des Transistors KSA709CG

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -160 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -8 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -0.7 A
  • Verlustleistung, max: 0.8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des KSA709CG

Der KSA709CG wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Das Suffix "C" steht für den mittleren Kollektor in KSA709G.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor KSA709CG kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des KSA709C liegt im Bereich von 70 bis 400, die des KSA709CO im Bereich von 70 bis 140, die des KSA709CY im Bereich von 120 bis 240.

Ersatz und Äquivalent für Transistor KSA709CG

Sie können den Transistor KSA709CG durch einen 2SA1319 oder 2SA1319-T ersetzen.
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