Bipolartransistor BDW83A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW83A

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 125 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 20000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des BDW83A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW83A ist der BDW84A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW83A

Sie können den Transistor BDW83A durch einen BD245A, BD245B, BD245C, BD249A, BD249B, BD249C, BDW83B, BDW83C, BDW83D oder TIP35CA ersetzen.
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