Bipolartransistor BDW83D

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW83D

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 750 bis 20000
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-247

Pinbelegung des BDW83D

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW83D ist der BDW84D.

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