Bipolartransistor 2SD797

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD797

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 30 A
  • Verlustleistung, max: 200 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 200
  • Übergangsfrequenz, min: 2 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-3

Pinbelegung des 2SD797

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD797-Transistor könnte nur mit "D797" gekennzeichnet sein.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD797

Sie können den Transistor 2SD797 durch einen 2SC2433 ersetzen.
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