Bipolartransistor BDV65BG

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-247
• Der BDV65BG ist die bleifreie Version des BDV65B-Transistors

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDV65BG ist der BDV64BG.Sie können den Transistor BDV65BG durch einen 2SD1197, 2SD2390, 2SD2390-O, 2SD2390-P, 2SD2390-Y, BDV65B, BDV67B, BDV67C, BDV67D, TIP142 oder TIP142G ersetzen.