Bipolartransistor BDV65B

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 125 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-247

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BDV65B ist der BDV64B.Sie können den Transistor BDV65B durch einen 2SD1197, 2SD2390, 2SD2390-O, 2SD2390-P, 2SD2390-Y, BDV65BG, BDV67B, BDV67C, BDV67D, TIP142 oder TIP142G ersetzen.Der BDV65BG-Transistor ist die bleifreie Version des BDV65B.