Bipolartransistor 2SD1197

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 110 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 10 A
• Verlustleistung, max: 70 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1500
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1197-Transistor könnte nur mit "D1197" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1197 ist der 2SB887.Sie können den Transistor 2SD1197 durch einen 2SD2390, 2SD2390-O, 2SD2390-P oder 2SD2390-Y ersetzen.