Bipolartransistor BD776

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD776

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -45 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 15 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 750
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD776

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BD776 equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD776 ist der BD775.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD776

Sie können den Transistor BD776 durch einen 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676A, BD676AG, BD676G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 oder MJE703G ersetzen.
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