Bipolartransistor MJE700G
Elektrische Eigenschaften des Transistors MJE700G
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-126
Pinbelegung des MJE700G
Equivalent circuit
Komplementärer NPN-Transistor
Ersatz und Äquivalent für Transistor MJE700G
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