Bipolartransistor BD517

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD517

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
Verlustleistung, max: 8 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 350
Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des BD517

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD517 ist der BD518.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD517

Sie können den Transistor BD517 durch einen BD519, BD525, BD527, BD529 oder NTE188 ersetzen.

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