Bipolartransistor BD519

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
• Verlustleistung, max: 8 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 350
• Übergangsfrequenz, min: 160 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-202

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD519 ist der BD520.Sie können den Transistor BD519 durch einen BD527, BD529 oder NTE188 ersetzen.