Bipolartransistor BD529
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD529
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
- Verlustleistung, max: 8 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 30
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-202
Pinbelegung des BD529
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors BD529
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