Bipolartransistor BD529

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD529

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 4 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 8 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 30
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-202

Pinbelegung des BD529

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD529 ist der BD530.

SMD-Version des Transistors BD529

Der FMMT624 (SOT-23) und FZT694B (SOT-223) ist die SMD-Version des BD529-Transistors.
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