Bipolartransistor BD249

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD249

Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 55 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 25 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 25
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BD249

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD249 ist der BD250.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD249

Sie können den Transistor BD249 durch einen BD249A oder BD249B ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-220 package, BD244: 65 watts
TO-220 package, BD244C: 65 watts
TO-3P package, BD245B: 80 watts
TO-3P package, BD246A: 80 watts
TO-3P package, BD250A: 125 watts

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