Bipolartransistor BD250

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD250

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -55 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -25 A
Verlustleistung, max: 125 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 25
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BD250

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD250 ist der BD249.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD250

Sie können den Transistor BD250 durch einen BD250A oder BD250B ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-220 package, BD244A: 65 watts
TO-3P package, BD245: 80 watts
TO-3P package, BD245C: 80 watts
TO-3P package, BD246B: 80 watts
TO-3P package, BD249B: 125 watts

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