Bipolartransistor BD246

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD246

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -45 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -55 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
Verlustleistung, max: 80 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 40
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-3P

Pinbelegung des BD246

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD246 ist der BD245.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD246

Sie können den Transistor BD246 durch einen 2SA1292, 2SA1292-Q, 2SA1292-R, 2SA1292-S, 2SB829, 2SB829-Q, 2SB829-R, 2SB829-S, 2SB883, BD246A, BD246B, BDV66, BDV66A, BDW84, BDW84A, BDW84B, MJH6285 oder MJH6286 ersetzen.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-220 package, BD244B: 65 watts
TO-3P package, BD245A: 80 watts
TO-3P package, BD246C: 80 watts
TO-3P package, BD249A: 125 watts
TO-3P package, BD250B: 125 watts

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