Bipolartransistor 2SB883

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
• Verlustleistung, max: 70 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB883-Transistor könnte nur mit "B883" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB883 ist der 2SD1193.