Bipolartransistor BD177-6

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD177-6

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 60
  • Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-126

Pinbelegung des BD177-6

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BD177-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 60 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD177 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD177-10 im Bereich von 63 bis 160.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BD177-6 ist der BD178-6.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD177-6

Sie können den Transistor BD177-6 durch einen 2N4922, 2N4922G, 2N4923, 2N4923G, 2N5191, 2N5191G, 2N5192, 2N5192G, BD179, BD179-6, BD189, BD439, BD439G, BD441, BD441G, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE223, MJE224, MJE225, MJE240, MJE241, MJE242, MJE243, MJE243G, MJE244 oder NTE184 ersetzen.
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