Bipolartransistor BD137-6

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1.5 A
• Verlustleistung, max: 12.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 100
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-126

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor BD137-6 kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 100 haben. Die Gleichstromverstärkung des BD137 liegt im Bereich von 40 bis 250, die des BD137-10 im Bereich von 63 bis 160, die des BD137-16 im Bereich von 100 bis 250.Der komplementäre PNP-Transistor zum BD137-6 ist der BD138-6.Der BCP55 (SOT-223) und BSR40 (SOT-89) ist die SMD-Version des BD137-6-Transistors.Sie können den Transistor BD137-6 durch einen 2N4922, 2N4922G, 2N4923, 2N4923G, 2N5191, 2N5191G, BD137G, BD139, BD139-6, BD139G, BD167, BD169, BD177, BD179, BD189, BD228, BD230, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD377, BD377-6, BD379, BD379-6, BD439, BD439G, BD441, BD441G, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE223, MJE224, MJE225, MJE240, MJE241, MJE242, MJE243, MJE243G, MJE244, MJE721 oder MJE722 ersetzen.