Bipolartransistor BC849BW

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC849BW

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 30 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.2 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: SOT-323

Pinbelegung des BC849BW

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC849BW kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC849AW liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC849CW im Bereich von 420 bis 800, die des BC849W im Bereich von 110 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC849BW ist der BC859BW.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC849BW

Sie können den Transistor BC849BW durch einen 2SC4116, BC817W, BC847BW, BC847W, BC848BW, BC848W, BC850BW, BC850W oder FJX945 ersetzen.
Wenn Sie einen Fehler finden, senden Sie bitte eine E-Mail an mail@el-component.com