Bipolartransistor BC489B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC489B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 1 A
  • Verlustleistung, max: 0.625 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 160 bis 400
  • Übergangsfrequenz, min: 75 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des BC489B

Der BC489B wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Kollektor-, Basis- und Emitterleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC489B kann eine Gleichstromverstärkung von 160 bis 400 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC489 liegt im Bereich von 60 bis 400, die des BC489A im Bereich von 100 bis 250, die des BC489L im Bereich von 60 bis 150.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC489B ist der BC490B.

SMD-Version des Transistors BC489B

Der FMMTA06 (SOT-23), KST06 (SOT-23), MMBTA06 (SOT-23), PMBTA06 (SOT-23), PZTA06 (SOT-223) und SMBTA06 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC489B-Transistors.
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