Bipolartransistor BC109B

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC109B

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 450
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des BC109B

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC109B kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 450 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC109 liegt im Bereich von 200 bis 800, die des BC109C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC109B ist der BC179B.

SMD-Version des Transistors BC109B

Der MMBTH10 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC109B-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC109B

Sie können den Transistor BC109B durch einen BC108 oder BC108B ersetzen.
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