Bipolartransistor BC108

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC108

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 110 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 2 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des BC108

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC108 kann eine Gleichstromverstärkung von 110 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC108A liegt im Bereich von 110 bis 220, die des BC108B im Bereich von 200 bis 450, die des BC108C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC108 ist der BC178.

SMD-Version des Transistors BC108

Der MMBTH10 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC108-Transistors.
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