Bipolartransistor BC109

Elektrische Eigenschaften des Transistors BC109

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.3 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 800
  • Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
  • Rauschzahl, max: 1.5 dB
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
  • Gehäuse: TO-18

Pinbelegung des BC109

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor BC109 kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 800 haben. Die Gleichstromverstärkung des BC109B liegt im Bereich von 200 bis 450, die des BC109C im Bereich von 420 bis 800.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BC109 ist der BC179.

SMD-Version des Transistors BC109

Der MMBTH10 (SOT-23) ist die SMD-Version des BC109-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BC109

Sie können den Transistor BC109 durch einen BC108 ersetzen.
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