Bipolartransistor BC109
Elektrische Eigenschaften des Transistors BC109
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 20 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 30 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
- Verlustleistung, max: 0.3 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 800
- Übergangsfrequenz, min: 150 MHz
- Rauschzahl, max: 1.5 dB
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +175 °C
- Gehäuse: TO-18
Pinbelegung des BC109
Klassifizierung von hFE
Komplementärer PNP-Transistor
SMD-Version des Transistors BC109
Ersatz und Äquivalent für Transistor BC109
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