Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD877-O
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 110 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 7 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 3 A
Verlustleistung, max: 25 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 120
Übergangsfrequenz, min: 3 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-66
Pinbelegung des 2SD877-O
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SD877-O kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 120 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD877 liegt im Bereich von 60 bis 300, die des 2SD877-GR im Bereich von 150 bis 300, die des 2SD877-Y im Bereich von 100 bis 200.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD877-O-Transistor könnte nur mit "D877-O" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD877-O ist der 2SB502A-O.
SMD-Version des Transistors 2SD877-O
Der BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD877-O-Transistors.
