Bipolartransistor 2N3767

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N3767

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 40 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 10 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +200 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2N3767

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

SMD-Version des Transistors 2N3767

Der BDP951 (SOT-223) und BDP953 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2N3767-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N3767

Sie können den Transistor 2N3767 durch einen 2SC1113 ersetzen.
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