Bipolartransistor 2SB502A-O

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB502A-O

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -110 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -10 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -3 A
  • Verlustleistung, max: 25 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 50 bis 140
  • Übergangsfrequenz, min: 5 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-66

Pinbelegung des 2SB502A-O

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB502A-O kann eine Gleichstromverstärkung von 50 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB502A liegt im Bereich von 30 bis 280, die des 2SB502A-R im Bereich von 30 bis 70, die des 2SB502A-Y im Bereich von 100 bis 280.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB502A-O-Transistor könnte nur mit "B502A-O" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB502A-O ist der 2SD877-O.

SMD-Version des Transistors 2SB502A-O

Der BDP954 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB502A-O-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB502A-O

Sie können den Transistor 2SB502A-O durch einen 2N6467 oder 2N6468 ersetzen.
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