Bipolartransistor 2SD1264

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD1264

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 200 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 2 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 60 bis 240
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SD1264

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SD1264 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 240 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1264-P liegt im Bereich von 100 bis 240, die des 2SD1264-Q im Bereich von 60 bis 140.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1264-Transistor könnte nur mit "D1264" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1264 ist der 2SB940.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD1264

Sie können den Transistor 2SD1264 durch einen 2SC4381, 2SC4382, 2SC4883, 2SC4883A, 2SD1138, 2SD1264A, 2SD401, 2SD402, 2SD772, 2SD772A, 2SD772B, 2SD792, 2SD792A, 2SD792B, MJE15030, MJE15030G, MJE15032, MJE15032G, MJF15030, MJF15030G, TIP41F oder TIP42F ersetzen.
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