Bipolartransistor 2SD1253A-P

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 120 bis 250
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1253A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1253A liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SD1253A-Q im Bereich von 70 bis 150, die des 2SD1253A-R im Bereich von 40 bis 90.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1253A-P-Transistor könnte nur mit "D1253A-P" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1253A-P ist der 2SB930A-P.Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1253A-P-Transistors.Sie können den Transistor 2SD1253A-P durch einen 2SD1255, 2SD1256, 2SD1257 oder 2SD1257A ersetzen.