Bipolartransistor 2SB930A-P

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB930A-P

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 120 bis 250
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB930A-P

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB930A-P kann eine Gleichstromverstärkung von 120 bis 250 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB930A liegt im Bereich von 70 bis 250, die des 2SB930A-Q im Bereich von 70 bis 150.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB930A-P-Transistor könnte nur mit "B930A-P" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB930A-P ist der 2SD1253A-P.

SMD-Version des Transistors 2SB930A-P

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB930A-P-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB930A-P

Sie können den Transistor 2SB930A-P durch einen 2SB932, 2SB933 oder 2SB934 ersetzen.
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