Bipolartransistor 2SD1253A-R

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 40 bis 90
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-252

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1253A-R kann eine Gleichstromverstärkung von 40 bis 90 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1253A liegt im Bereich von 40 bis 250, die des 2SD1253A-P im Bereich von 120 bis 250, die des 2SD1253A-Q im Bereich von 70 bis 150.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1253A-R-Transistor könnte nur mit "D1253A-R" gekennzeichnet sein.Der BDP951 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SD1253A-R-Transistors.