Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC5100-P
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 160 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 6 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
Verlustleistung, max: 75 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 140
Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-3PF
Pinbelegung des 2SC5100-P
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC5100-P kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 140 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC5100 liegt im Bereich von 50 bis 180, die des 2SC5100-O im Bereich von 50 bis 100, die des 2SC5100-Y im Bereich von 90 bis 180.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC5100-P-Transistor könnte nur mit "C5100-P" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC5100-P ist der 2SA1908-P.
