Bipolartransistor 2SD1715

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 150 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 150 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 9 A
• Verlustleistung, max: 100 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 60 bis 200
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-3PF

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD1715 kann eine Gleichstromverstärkung von 60 bis 200 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD1715-P liegt im Bereich von 100 bis 200, die des 2SD1715-Q im Bereich von 60 bis 120, die des 2SD1715-S im Bereich von 80 bis 160.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD1715-Transistor könnte nur mit "D1715" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD1715 ist der 2SB1160.Sie können den Transistor 2SD1715 durch einen 2SD1488 oder 2SD1716 ersetzen.