Bipolartransistor 2SC5359

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC5359

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 230 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 230 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 180 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 55 bis 160
  • Übergangsfrequenz, min: 30 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-3PF

Pinbelegung des 2SC5359

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC5359 kann eine Gleichstromverstärkung von 55 bis 160 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC5359-O liegt im Bereich von 80 bis 160, die des 2SC5359-R im Bereich von 55 bis 100.

Kennzeichnung

Der 2SC5359-Transistor ist als "2SC5359" gekennzeichnet.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC5359 ist der 2SA1987.
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