Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC1570-G
Typ: NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: 55 V
Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
Verlustleistung, max: 0.2 W
Gleichstromverstärkung (hfe): 280 bis 560
Übergangsfrequenz, min: 100 MHz
Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
Gehäuse: TO-92
Pinbelegung des 2SC1570-G
Der 2SC1570-G wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung. Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Klassifizierung von hFE
Der Transistor 2SC1570-G kann eine Gleichstromverstärkung von 280 bis 560 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC1570 liegt im Bereich von 160 bis 960, die des 2SC1570-F im Bereich von 160 bis 320, die des 2SC1570-H im Bereich von 480 bis 960.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC1570-G-Transistor könnte nur mit "C1570-G" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC1570-G ist der 2SA929-G.
SMD-Version des Transistors 2SC1570-G
Der 2SC1623 (SOT-23), KSC1623 (SOT-23), KST2484 (SOT-23) und PMBT6428 (SOT-23) ist die SMD-Version des 2SC1570-G-Transistors.
