Bipolartransistor 2SC3329

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SC3329

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 0.1 A
  • Verlustleistung, max: 0.4 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 200 bis 700
  • Übergangsfrequenz, min: 50 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +125 °C
  • Gehäuse: TO-92

Pinbelegung des 2SC3329

Der 2SC3329 wird in einem TO-92-Gehäuse aus Kunststoff hergestellt. Betrachtet man die flache Seite mit den Leitungen nach unten, so sind die drei aus dem Transistor austretenden Leitungen, von links nach rechts, die Emitter-, Kollektor- und Basisleitung.
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SC3329 kann eine Gleichstromverstärkung von 200 bis 700 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SC3329-BL liegt im Bereich von 350 bis 700, die des 2SC3329-GR im Bereich von 200 bis 400.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SC3329-Transistor könnte nur mit "C3329" gekennzeichnet sein.

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SC3329 ist der 2SA1316.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SC3329

Sie können den Transistor 2SC3329 durch einen 2SC2240, 2SC2459, 2SC3200, 2SC3201, 2SC3245, 2SC3245A, KTC1006 oder KTC3200 ersetzen.
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