Bipolartransistor 2SB930A-Q

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB930A-Q

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
  • Verlustleistung, max: 40 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 70 bis 150
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-252

Pinbelegung des 2SB930A-Q

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Klassifizierung von hFE

Der Transistor 2SB930A-Q kann eine Gleichstromverstärkung von 70 bis 150 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB930A liegt im Bereich von 70 bis 250, die des 2SB930A-P im Bereich von 120 bis 250.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB930A-Q-Transistor könnte nur mit "B930A-Q" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB930A-Q ist der 2SD1253A-Q.

SMD-Version des Transistors 2SB930A-Q

Der BDP952 (SOT-223) ist die SMD-Version des 2SB930A-Q-Transistors.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB930A-Q

Sie können den Transistor 2SB930A-Q durch einen KTA1042D ersetzen.
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